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SK하이닉스가 5세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM3E의 수율(완성품 중 양품 비율)이 80%에 육박했다고 밝혔다.
23일 업계에 따르면 21일(현지시간) 권재순 SK하이닉스 수율 담당 임원(부사장)은 파이낸셜타임스(FT) 인터뷰를 통해 "HBM3E 칩 양산에 필요한 시간을 50% 단축했다"며 "해당 칩의 경우 목표 수율인 80%에 거의 도달했다"고 했다.
SK하이닉스가 HBM3E 수율 정보를 외부에 공개한 것은 처음이다.
반도체 생산 공정 수율은 핵심 기밀로, 기업들이 공개를 꺼리는 정보다.
업계에서는 SK하이닉스의 HBM3E 수율을 60∼70% 정도로 추정해왔다.
 권 부사장은 "올해는 고객들이 가장 원하는 8단 HBM3E 생산에 주력하고 있다"며 "인공지능(AI) 시대에 앞서나가기 위해 수율 향상은 더욱 중요해지고 있다"고 말했다.
SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 대량 양산해 현재 엔비디아 등 고객사에게 공급하고 있다.
내년까지 물량 공급 계약도 마친 상태다.
여러 개의 D램을 수직으로 적층하는 HBM 구조상 일반 D램과 비교할 때 공정 난도가 높다.
이 같은 이유로 HBM 제조기업은 수율 안정화에 어려움을 겪어왔다.
특히, HBM3E의 경우 핵심 부품인 실리콘관통전극(TSV) 수율이 40∼60% 수준으로 낮아 업계에서는 수율 개선에 힘쓰고 있다.
SK하이닉스는 지난 4월 1분기 실적 콘퍼런스콜에서도 HBM3E 수율에 대해 "현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내에 HBM3와 비슷한 수준의 수율 달성이 가능할 것으로 보이며, 원가 측면에서도 빠른 안정화를 추진하고 있다"고 밝힌 바 있다.
한예주 기자 dpwngks@asiae.co.kr
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